PI固化厭氧烘箱，聚酰亞胺固化爐應用機制：?
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?   微機電系統(tǒng)(MEMS)是微電子技術(shù)與機械,光 學等領(lǐng)域交叉融合的產(chǎn)物,是在IC工藝技術(shù)基礎(chǔ)上的延伸和拓?展,是微電子技術(shù)應用的新突破。犧牲層技術(shù)作為MEMS的關(guān)鍵技術(shù)之一,是利用不同材料在同一種腐蝕液(或腐蝕氣)中腐蝕速率的差異,選擇性地將結(jié)構(gòu)圖形與襯底之間的材料(即犧牲層材料)刻蝕掉,進行結(jié)構(gòu)釋放,形成空腔上膜或其他懸空結(jié)構(gòu)的一種微加工技術(shù)。
?  與其它光刻膠,金屬相比,光敏性PI作為犧牲層材料時有以下一些優(yōu)點:粘度高,容易制得高厚度的犧牲層;具有較好的流動性,使得犧牲層表面更易于平坦化,有利于制作平整的結(jié)構(gòu);具有出色的耐熱性能,使其更容易與其他MEMS工藝相兼容;對酸堿穩(wěn)定,耐腐蝕,且不溶于丙酮、乙醇等多數(shù)有機溶劑。因此,光敏聚酰亞胺是犧牲層的優(yōu)選材料。?

PI固化厭氧烘箱，聚酰亞胺固化爐技術(shù)參數(shù)：

1. 溫度范圍：RT+50～500℃

2. 腔體尺寸(cm)：W50×D50×H50；可自定

3. 外形尺寸(cm):約173×160×119mm（W×D×H）；

4. 內(nèi)膽材質(zhì)：SUS304鏡面不銹鋼；

5. 加熱器：特制無塵加熱器；

6. 氧含量指標：≤ 50ppm 

7. 電源：380V/50HZ,三相五線制

8. 控制部分

a. 控制：曲線升溫模式；

b. 控溫儀表：觸摸屏溫控儀；

c. 控溫段數(shù)：多段數(shù)，多工藝；

d. 超溫報警：獨立限溫控制；

9.氮氣控制：裝有雙通道可調(diào)式氮氣流量計，全程通氮氣。

10.輔助降溫：風冷、水冷
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?11.厭氧烘箱應用于聚酰亞胺層（PI）固化烘烤.應用聚酰亞胺時需要注意的問題是厚度控制和亞胺化處理。一旦?亞胺化處理不當,聚酰亞胺膜層將發(fā)生降解和裂紋的現(xiàn)象,使其性能下降。另外,不同的亞胺化方法,所獲得聚酰亞胺薄膜材料的性能也不一樣,實驗中需嚴格控制亞胺化過程。

12.亞胺化的過程包含二個步驟:圖形化后的預亞胺化和*亞胺化。多次實驗后采用階梯升溫過程,亞胺化效果*。采用程控烘箱進行亞胺化,烘箱內(nèi)為純N2氛圍,如果升溫速率過快,表面的溶劑和水蒸氣急劇揮如果升溫速率過快,表面的溶劑和水蒸氣急劇揮發(fā),而內(nèi)部的溶劑和水蒸氣卻殘留在薄膜內(nèi),則容易在犧牲層中產(chǎn)生氣孔開裂;如果保溫時間不夠,將使溶劑不能*排除,隨后的高溫亞胺化過程中同樣會產(chǎn)生氣泡甚至開裂,就不能形?成機械強度良好的亞胺膜.
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