大多數(shù)半導(dǎo)體器件的壽命在正常使用下可超過(guò)很多年。但我們不能等到若干年后再研究器件；我們必須增加施加的應(yīng)力。施加的應(yīng)力可增強(qiáng)或加快潛在的故障機(jī)制，幫助找出根本原因，并幫助 TI 采取措施防止故障模式。

   在半導(dǎo)體器件中，常見(jiàn)的一些加速因子為溫度、濕度、電壓和電流。在大多數(shù)情況下，加速測(cè)試不改變故障的物理特性，但會(huì)改變觀察時(shí)間。加速條件和正常使用條件之間的變化稱(chēng)為“降額"。

HAST高速老化壽命試驗(yàn)箱，半導(dǎo)體高加速溫濕度試驗(yàn)機(jī)用途

   用于評(píng)估非氣密性封裝IC器件、金屬材料等在濕度環(huán)境下的可靠性。通過(guò)溫度、濕度、大氣壓力條件下應(yīng)用于加速濕氣的滲透，可通過(guò)外部保護(hù)材料（塑封料或封口），或在外部保護(hù)材料與金屬傳導(dǎo)材料之間界面。它采用了嚴(yán)格的溫度，濕度，大氣壓、電壓條件，該條件會(huì)加速水分滲透到材料內(nèi)部與金屬導(dǎo)體之間的電化學(xué)反應(yīng)。

HAST高速老化壽命試驗(yàn)箱，半導(dǎo)體高加速溫濕度試驗(yàn)機(jī)參照標(biāo)準(zhǔn)

JESD22-A118

JESD22-A110

      通常選擇HAST-96，即：130℃、85%RH、230KPa大氣壓，96hour測(cè)試時(shí)間。測(cè)試過(guò)程中，建議調(diào)試階段監(jiān)控芯片殼溫、功耗數(shù)據(jù)推算芯片結(jié)溫，要保證結(jié)溫不能過(guò) 高，并在測(cè)試過(guò)程中定期記錄。結(jié)溫推算方法參考《HTOL測(cè)試技術(shù)規(guī)范》